1.一种基于交叉耦合的滤波移相器，包括设于介质基板上的参考线（0）和主线；其特征在于：

所述的参考线（0）包括由一根微带线折叠而成的横向段Ⅰ（1）、横向段Ⅱ（2）、横向段Ⅲ（3）、竖向段Ⅰ（4）、竖向段Ⅱ（5）；所述的横向段Ⅰ（1）的左端与端口P1连接，右端与竖向段Ⅰ（4）的下端连接处为折叠点之一，竖向段Ⅰ（4）的上端与横向段Ⅱ（2）的左端连接处为折叠点之二，横向段Ⅱ（2）的右端与竖向段Ⅱ（5）的上端连接处为折叠点之三，竖向段Ⅱ（5）的下端与横向段Ⅲ（3）的左端连接处为折叠点之四，横向段Ⅲ（3）的右端与端口P2连接；

所述的主线包括折叠微带线Ⅰ（6）、折叠微带线Ⅱ（7）、高阻微带线Ⅰ（8）、高阻抗微带线Ⅱ（9）、低阻抗微带线Ⅰ（10）、低阻抗微带线Ⅱ（11）；所述的折叠微带线Ⅰ（6）包括横向段Ⅳ（12）和竖向段Ⅲ（13），横向段Ⅳ（12）的左端与端口P3连接，横向段Ⅳ（12）的右端与竖向段Ⅲ（13）的上端连接处为折叠点；所述的折叠微带线Ⅱ（7）包括横向段Ⅴ（14）和竖向段Ⅳ（15），横向段Ⅴ（14）的右端与端口P3连接，横向段Ⅴ（14）的左端与竖向段Ⅳ（15）的上端连接处为折叠点；所述的高阻微带线Ⅰ（8）和高阻抗微带线Ⅱ（9）设于竖向段Ⅲ（13）和竖向段Ⅳ（15）之间，竖向段Ⅲ（13）、高阻微带线Ⅰ（8）、高阻抗微带线Ⅱ（9）、竖向段Ⅳ（15）一一对应；

所述的竖向段Ⅲ（13）的下端与低阻抗微带线Ⅰ（10）的上端连接，竖向段Ⅳ（15）的下端与低阻抗微带线Ⅱ（11）的上端连接；所述的低阻抗微带线Ⅰ（10）和低阻抗微带线Ⅱ（11）相互对应，并且低阻抗微带线Ⅰ（10）和低阻抗微带线Ⅱ（11）的下端通过横向微带线（16）连接。

2.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的横向段Ⅰ（1）和横向段Ⅲ（3）的中心线位于同一直线上；所述的横向段Ⅳ（12）和横向段Ⅴ（14）的中心线位于同一直线上；所述的横向段Ⅰ（1）和横向段Ⅲ（3）与横向段Ⅳ（12）和横向段Ⅴ（14）之间留有12mm以上的间距。

3.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：组成参考线（0）的微带线为50欧姆铜线。

4.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：横向段Ⅳ（12）和横向段Ⅴ（14）50欧姆铜线。

5.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的竖向段Ⅲ（13）和竖向段Ⅳ（15）为0.7‑1.1mm铜线。

6.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的高阻微带线Ⅰ（8）和高阻抗微带线Ⅱ（9）为0.4‑0.5mm铜线。

7.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的低阻抗微带线Ⅰ（10）和低阻抗微带线Ⅱ（11）为6.2‑7.3mm铜线；所述的横向微带线（16）为0.2‑0.4mm铜线。

8.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的竖向段Ⅲ（13）和高阻微带线Ⅰ（8）之间的间距与高阻抗微带线Ⅱ（9）和竖向段Ⅳ（15）之间的间距相等，为0.2‑0.5mm。

9.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的高阻微带线Ⅰ（8）和高阻抗微带线Ⅱ（9）之间的间距与低阻抗微带线Ⅰ（10）和低阻抗微带线Ⅱ（11）之间的间距相等，为0.2‑0.4mm。

10.如权利要求1所述的基于交叉耦合的滤波移相器，其特征在于：所述的介质基板型号为罗杰斯5880，厚度为1.54mm，介电常数为2.2。