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专利号: 2017101775858
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于交叉耦合结构的高阶可调带通滤波器,包括上层金属微带结构,中间层介质基板和下层金属接地板,其特征在于,所述上层金属微带结构包括:两段左右对称设置的馈电线以及设置于所述两段馈电线之间的四个可调谐谐振器;

其中:两个第一可调谐谐振器关于输入端口馈电线和输出端口馈电线的对称中心线左右对称设置,第一可调谐谐振器包括第一可调电容(1)及分别加载于第一可调电容(1)两端的第一弯折微带线(2)和第一接地微带线(31),所述第一弯折微带线(2)包括首尾连接的第一微带线(201)、第二微带线(202)和第三微带线(203),其中远离第一可调电容(1)端的第三微带线(203)为开路端;两个第一可调谐谐振器通过远离第一可调电容(1)端的两段第三微带线(203)相互靠近形成耦合结构;

两个第一可调谐谐振器上面设置有两个第二可调谐谐振器,两个第二可调谐谐振器关于输入端口馈电线和输出端口馈电线的对称中心线左右对称设置,第二可调谐谐振器包括第二可调电容(8)及分别加载于第二可调电容(8)两端的第二弯折微带线(4)和第二接地微带线(32),所述第二弯折微带线(4)包括首尾连接的第四微带线(401)、第五微带线(402)和第六微带线(403),其中远离第二可调电容(8)端的第六微带线(403)为开路端;两个第二可调谐谐振器通过分别加载于第二可调电容(8)两端的第二接地微带线(32)和第四微带线(401)相互靠近形成耦合结构;

两个第一可调谐谐振器分别与两个第二可调谐谐振器通过相互靠近的第二微带线(202)与第五微带线(402)形成耦合结构;

所述馈电线包括隔直电容(6)以及分别加载于隔直电容(6)两端的微带传输线(5)和微带耦合馈线(7),所述微带耦合馈线(7)远离隔直电容(6)的一端接地,微带耦合馈线(7)通过与第一接地微带线(31)和第一微带线(201)相互靠近形成耦合结构;两段微带传输线(5)外侧分别设有第一输入输出端口和第二输入输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种基于交叉耦合结构的高阶可调带通滤波器,其特征在于,第一可调电容(1)、第二可调电容(8)、隔直电容(6)均包括一个以上相互并联的电容器。

3.根据权利要求1所述的一种基于交叉耦合结构的高阶可调带通滤波器,其特征在于,所述介质基板的介电常数εr为2~10,介质基板厚度0.5~5mm。