1.基于TSV的六阶高性能交叉耦合SIW滤波器，其特征在于：包括沿水平方向平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底，硅基衬底上分布有六个由TSV构成的谐振腔，六个谐振腔依次排布呈L型设置；上层RDL分别设有输入RDL端口和输出RDL端口；上层RDL上开设有S槽缺口a，下层RDL上开设有S槽缺口b，S槽缺口a和S槽缺口b拼接在一起恰好形成两个整圆；

六个所述谐振腔分别为：第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔及第六谐振腔；

第四谐振腔分别与第三谐振腔和第五谐振腔相邻，第六谐振腔分别与第五谐振腔和第三谐振腔相邻；

所述S槽缺口a和S槽缺口b位于第三谐振腔和第六谐振腔的公共边上；

所述第一谐振腔与第二谐振腔之间设有窗口A；第二谐振腔与第三谐振腔之间设有窗口B；第三谐振腔与第四谐振腔之间设有窗口C；第四谐振腔与第五谐振腔之间设有窗口D；

第五谐振腔与第六谐振腔之间设有窗口E；

所述窗口A、窗口B、窗口C、窗口D及窗口E相对两侧的TSV数量相同；

所述输入RDL端口与窗口A分别位于第一谐振腔的相对两端，所述输出RDL端口与第六谐振腔和第三谐振腔的公共边相对设置。