1.一种忆阻仿真器电路，其特征在于，包括场效应管M0和场效应管M1；

场效应管M0的栅极G端与场效应管M1的漏极D端相连，场效应管M0的衬底B端与场效应管M1的栅极G端相连，场效应管M1的衬底B端和源极S端均接地；

场效应管M0的漏极D端为所述忆阻仿真器的T0端，场效应管M0的源极S端为所述忆阻仿真器的T1端。

2.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管M0的漏极D端也可以作为所述忆阻仿真器电路的T1端使用，同时场效应管M0的源极S端作为所述忆阻仿真器电路的T0端使用。

3.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管M1的漏极D端改为与地相接，场效应管M1的源极S端改为与场效应管M0的衬底B端相接后，所述忆阻仿真器电路的功能与改接前一致。

4.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，所述忆阻仿真器电路中的场效应管M0和M1可以选用N沟道场效应管，也可以选用P沟道场效应管。