1.一种忆阻器仿真模型，其特征在于，包括忆阻器等效电阻R1、受控电压源V1至V3、电阻R2至R6、电容C、第一运放和第二运放；

忆阻器等效电阻R1的一端与受控电压源V1的正极相连；

受控电压源V2的负极接地，受控电压源V2的正极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端分别于第一运放的反相输入端、电容C的一端相连，电容C的另一端与第一运放的输出端相连，第一运放的正相输入端接地；

受控电压源V3的负极接地，受控电压源V3的正极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别于第二运放的反相输入端、电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与第二运放的输出端相连，第二运放的正相输入端分别与电阻R5、电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端接地；

受控电压源V1的电压值为(RON-ROFF)x(t)i(t)，其中：RON为忆阻器低阻值状态下的低阻值电阻，ROFF为忆阻器高阻值状态下的高阻值电阻，w(t)为t时刻掺杂区的宽度，D为忆阻器长度，i(t)为t时刻流经忆阻器的电流；

受控电压源V2的电压值为i(t)，其中i(t)为t时刻流经忆阻器的电流；

受控电压源V3的电压值为kq(t)，其中：RON为忆阻器低阻值状态下的低阻值电阻，μV为忆阻器中的载流子的迁移率，D为忆阻器长度，q(t)为t时刻流经忆阻器的累计电荷量；

忆阻器边界迁移模型描述为：

v(t)＝(ROFF+(RON-ROFF)x(t))i(t),x(t)∈[0,1]x(t)＝X0+∫i(t)dt,x(t)∈[0,1],X0∈[0,1]其中为掺杂区初始宽度W0占忆阻器长度D的比例。

2.如权利要求1所述的一种忆阻器仿真模型，其特征在于，第二运放的正电源端接1V电压，负电源端接0V。