1.一种忆阻仿真器电路，其特征在于，包括电流传输器A、场效应管M、电阻R1、电阻Rf、电阻RD、电容C、正电压源Vp、负电压源Vn；

输入vi分别与电流传输器A的X端、电阻RD的一端相连，电阻RD的另一端与场效应管M的漏极D端相连，场效应管M的源极S端接地，场效应管的栅极G端分别与电流传输器A的输出O端、电阻Rf的一端相连，电阻Rf的另一端分别与电流传输器A的Y端、电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端接地；

电流传输器A的Z端与电容C的一端相连，电容C的另一端接地；

电流传输器A的X端电压vi、X端电流iX、Y端电压vY、Y端电流iY、Z端电压vZ、Z端电流iZ、O端电压vg满足公式，公式中β为常系数：

2.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，电阻Rf中的电流if相比于电阻R1中的电流iY可以忽略不计。

3.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，电流传输器A、电阻R1、电阻Rf、电容C、正电压源Vp、负电压源Vn构成一个对输入vi的积分器，积分器的输出

4.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管M的漏极D端与源极S端之间的导电沟道导通电阻受vg控制。

5.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管的漏极电流ii包含场效应管M的漏极D端到源极S端之间的导电沟道中的电流和场效应管M的漏极D端与源极S端到衬底之间的寄生二极管中的电流，场效应管M的衬底与场效应管源极S端相连。

6.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在输入vi为正弦信号，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线呈现出捏滞回线特征。

7.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在输入vi为正弦信号，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线会随着输入信号vi频率的提升而逐步收缩，最终收缩成一条单值函数曲线。

8.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在正弦输入vi的频率超过1MHz后，忆阻仿真器电路仍能保持忆阻特性。