1.一种忆阻仿真器电路，其特征在于，包括运放A、场效应管M、电阻R1、电阻RD、电容C、正电压源Vp、负电压源Vn；

输入vi分别与运放A的“+”端、电阻RD的一端相连，电阻RD的另一端与场效应管M的漏极D端相连，场效应管M的源极S端接地，场效应管的栅极G端分别与运放A的输出端、电容C的一端相连，电容C的另一端分别与运放A的“-”端、电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端接地；

运放A、电阻R1、电容C、正电压源Vp、负电压源Vn构成一个对输入vi的同向积分器，同向积分器的输出场效应管M的漏极D端与源极S端之间的导电沟道导通时的等效电阻受vg控制。

2.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管漏极电流ii包含场效应管漏极D端到源极S端之间导电沟道中的电流和场效应管漏极D端与源极S端到衬底之间的寄生二极管中的电流。

3.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在输入vi为正弦信号，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线呈现出捏滞回线特征。

4.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在输入vi为正弦信号，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线会随着输入信号vi频率的提升而逐步收缩，最终收缩成一条单值函数曲线。