1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，得到量子点发光二极管初品，随后对所述量子点发光二极管初品进行通电处理，再对所述电子传输层与所述顶电极的连接位置进行热处理；

其中，所述电子传输层的制备原料包括电子传输层溶质和电子传输层溶剂，所述电子传输层溶质中至少含有ZnO且至少80wt％的所述ZnO的粒径为2‑3nm；通电是于0.1‑2mA的条件下进行5‑30min；热处理是于50‑80℃的条件下进行5‑30min；

通电处理和热处理均在干燥氧气氛围中进行；所述干燥氧气的含水率不超过0.01ppm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通电电流为0.1‑1mA，热处理温度为

70‑80℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的制备包括：将由电子传输层溶质和电子传输层溶剂混合得到的ZnO溶液以2000‑4000r/min的转速旋涂于量子点层的表面。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO溶液中ZnO的浓度为25‑35mg/mL。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO溶液中的溶剂为低沸点醇。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述ZnO溶液中的溶剂为乙醇。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20‑30nm。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的制备包括：将空穴注入层的制备原料以溶液形式按4000‑6000r/min的转速旋涂于所述底电极的表面，随后于

145‑155℃的条件下热处理20‑30min。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层包括有机电子注入层以及无机电子注入层中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的制备原料包括PEDOT:PPS。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为20‑30nm。

12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述底电极的制备原料包括ITO玻璃。

13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述底电极的厚度为20‑30nm。

14.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的制备包括：将空穴传输层的制备原料以溶液形式按2000‑4000r/min的转速旋涂于所述空穴注入层的表面，随后于135‑145℃的条件下热处理20‑30min。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层包括有机电子传输层以及无机电子传输层中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的制备原料包括TFB。

17.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20‑30nm。

18.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述量子点层的制备包括：将量子点层的制备原料以溶液形式按2000‑4000r/min的转速旋涂于所述空穴传输层的表面。

19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，述量子点层中的量子点包括一元量子点、二元量子点以及三元量子点中的至少一种。

20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，所述一元量子点包括碳量子点和金量子点中的至少一种。

21.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，所述二元量子点包括II‑VI族量子点、IV‑VI族量子点和III‑V族量子点中的至少一种。

22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述II‑VI族量子由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成；所述IV‑VI族量子点由第IV族元素Ge、Sn和Pb中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成；所述III‑V族量子点由第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素和第V族元素N、P、As和Sb中的任意一种元素组成。

23.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，所述三元量子点包括I‑III‑VI族量子点和II‑III‑VI族量子点中的至少一种。

24.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述I‑III‑VI族量子点由第I族元素Cu和Ag中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成；所述II‑III‑VI族量子点由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成。

25.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，量子点的粒径为2‑20nm。

26.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，所述量子点层的厚度为20‑30nm。

27.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极的制备包括：将顶电极的制备原料蒸镀于所述电子传输层的表面。

28.根据权利要求27所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极的制备原料包括Ag、Au或Al。

29.根据权利要求27所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极的厚度为80‑120nm。

30.一种量子点发光二极管，其特征在于，经权利要求1‑29任一项所述的制备方法制备而得。

31.根据权利要求30所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述量子点发光二极管中，所述电子传输层同时含有粒径为2‑3nm的ZnO以及粒径为6‑8nm的ZnO。