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专利号: 2018106225897
申请人: 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-11-21
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种电子传输层的制作方法,其特征在于包括:

在保护性气氛中,使包含锌源、甲基金属化合物、硅醇化合物和溶剂的均匀混合反应体系于-80~-50℃反应10min~1h,之后于室温搅拌反应6~10h,得到ZnxM1-xO前驱体,其中,M为来源于甲基金属化合物的金属元素,0

将所述ZnxM1-xO前驱体施加于电极上,之后进行退火处理,形成ZnO和/或ZnMO纳米粒子,获得电子传输层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述锌源和甲基金属化合物的组合与硅醇化合物的摩尔比为1:1.1~1:1.5;优选的,所述甲基金属化合物与锌源的摩尔比为5~

15:100。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于:所述锌源包括二甲基锌和/或二乙基锌;和/或,所述硅醇化合物包括三甲基硅醇和/或三乙基硅醇。

4.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于:M包括Mg、Li、Hg、Al、Ni、Mn、Co、Ga、In、Sb、Er、Sr、Cu、Y、Nd和Pd中的任意一种或两种以上的组合;优选的,所述甲基金属化合物包括二甲基镁、甲基锂、二甲基汞、三乙基铝、二甲基镍、二乙基锰、二甲基钴、二乙基钙、三乙基铟、三甲基锑、三甲基铒、三甲基锶、二乙基铜、三甲基钇、三甲基钕和三甲基钯中的任意一种或两种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述均匀混合反应体系中ZnxM1-xO合成前驱体的浓度为30~50mg/ml。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述溶剂包括甲苯、己烷和庚烷中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述保护性气氛包括惰性气体气氛。

7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述退火处理的温度为160~300℃,时间为20~60min。

8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于包括:至少采用旋涂方式将所述ZnxM1-xO合成前驱体施加于量子点发光层或电极上;优选的,所述旋涂的速率为1000~5000r/min。

9.一种量子点发光二极管器件的制作方法,所述量子点发光二极管器件包括沿设定方法依次设置的第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极,其特征在于,所述制作方法包括:采用权利要求1-8中任一项所述的方法制作所述的电子传输层。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于包括:

提供第一电极;

采用权利要求1-8中任一项所述的方法于所述第一电极上形成所述的电子传输层;

于所述电子传输层上形成量子点发光层;

于所述量子点发光层上形成空穴传输层;

于所述空穴传输层上形成空穴注入层;

于所述空穴注入层上形成第二电极;

优选的,所述制作方法还包括:先于所述电子传输层上形成电子空穴阻挡层,再于所述电子空穴阻挡层上形成量子点发光层。