1.量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：当量子点发光层沉积后，于70～80℃处理3～5min后，于150～300℃热处理2～30s；

所述量子点发光层的沉积方法包括：将溶解有量子点的溶液，旋涂于空穴传输层上形成量子点发光层；所述量子点为CdSe/ZnS或ZnSe/ZnS量子点；

在沉积所述量子点发光层前，还包括：在底电极上沉积形成空穴注入层；在所述空穴注入层上沉积空穴传输层；

在所述热处理后，在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极；

所述空穴传输层的厚度为10～50nm；

所述空穴注入层的厚度为15～30nm；

所述底电极的厚度为60～120nm；

所述电子传输层的厚度为20～50nm；

所述顶电极的厚度为60～120nm。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为190～210℃。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为195～205℃。

4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为200℃。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为2～10s。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为2～5s。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为5s。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为190～210℃，所述热处理的时间为2～10s。

9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为200℃，所述热处理的时间为5s。

10.根据权利要求1‑9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用红外卤素灯或激光进行所述热处理。

11.根据权利要求1‑9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10～100nm。

12.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶液的溶剂为正辛烷。

13.采用权利要求1‑12任一项所述的量子点发光二极管的制备方法制备得到的量子点发光二极管。