1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；

在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；

在所述电子传输层上，形成金属阴极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层金属氧化物依次为：MgZnO、ZnO和AZO。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上，形成具有多层结构的电子传输层，包括：在所述量子点发光层上以预设转速旋涂所述MgZnO；

在旋涂所述MgZnO到达第一预设时间后，进行第二预设时间的退火处理；

在MgZnO层上以所述预设转速旋涂所述ZnO；

在旋涂所述ZnO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理；

在ZnO层上以所述预设转速旋涂所述AZO；

在旋涂所述AZO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理，完成所述电子传输层的形成。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设转速为4000rpm/s；所述第一预设时间为60s；所述第二预设时间为30min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阴极的可见光反射率大于百分之九十八。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：在阴极衬底上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；

在所述电子传输层上，形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上，形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上，形成金属阳极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述多层金属氧化物依次为：AZO、ZnO和MgZnO。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在阴极衬底上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层，包括：在所述阴极衬底上以预设转速旋涂所述AZO；

在旋涂所述AZO到达第一预设时间后，进行第二预设时间的退火处理；

在AZO层上以所述预设转速旋涂所述ZnO；

在旋涂所述ZnO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理；

在ZnO层上以所述预设转速旋涂所述MgZnO；

在旋涂所述MgZnO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理，完成所述电子传输层的形成。

9.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为正置结构，依次包括：阳极衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、具有多层金属氧化物的电子传输层、金属阴极；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物。

10.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为倒置结构，依次包括：阴极衬底、具有多层金属氧化物的电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、金属阳极；

所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物。