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专利号: 2021109754447
申请人: 安徽工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种铬催化的碳化硅晶须的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)按配比称取铬源、硅粉、碳源,铬源、硅粉、碳源的质量比为0.025‑0.15:1.5‑3.5:1,将铬源、硅粉与碳源混合均匀,制得混合粉体;所述铬源为氯化铬、三氧化二铬、硫酸铬和硝酸铬中的一种,且氯化铬、三氧化二铬、硫酸铬和硝酸铬为工业纯或为分析纯;所述碳源为微晶石墨、鳞片石墨、膨胀石墨、纳米炭黑中的一种,且微晶石墨、鳞片石墨、膨胀石墨、纳米炭黑为工业纯或为分析纯;

2)按配比称取粘结剂,将粘结剂加入到混合粉体中,混合均匀,困料,压制成型,制得坯体;

3)将坯体在80‑180℃下干燥6‑48h,然后在埋碳条件下,经1100‑1500℃热处理l‑10h,即制得铬催化的碳化硅晶须。

2.根据权利要求1所述的铬催化的碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述硅粉中Si的含量≥90%,粒径≤100μm。

3.根据权利要求1所述的铬催化的碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:步骤2)中,所述粘结剂、混合粉体的质量比为0.01‑0.1:1。

4.根据权利要求1所述的铬催化的碳化硅晶须的制备方法,其特征在于:步骤2)中,所述粘结剂为PVA溶液、糊精溶液、酚醛树脂、沥青中的一种,且PVA、酚醛树脂、沥青和糊精为工业纯或为分析纯。

5.一种铬催化的碳化硅晶须,其特征在于,该碳化硅晶须由权利要求1‑4任一项所述的制备方法制备得到。