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专利号: 2021104560229
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路,其特征在于,包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3,第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8,第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5,通过控制忆阻器阻态、CMOS晶体管导通和截止的状态,实现全加运算的功能;

所述的第一阈值型忆阻器M1的负端连接第二NMOS晶体管NM2的源极;第一阈值型忆阻器M1的正端连接第三NMOS晶体管NM3的栅极和第二PMOS晶体管PM2的栅极的连接点;第二阈值型忆阻器M2的负端连接第五NMOS晶体管NM5的源极;第二阈值型忆阻器M2的正端连接第六NMOS晶体管NM6的栅极和第四PMOS晶体管PM4的栅极的连接点;第三阈值型忆阻器M3的负端连接第八NMOS晶体管NM8的源极;第三阈值型忆阻器M3的正端连接信号输入端B;

所述的第一NMOS晶体管NM1的栅极连接信号输入端A,NM1的源极连接第三NMOS晶体管NM3的漏极和第二PMOS晶体管PM2的漏极的连接点;第二NMOS晶体管NM2的栅极连接信号输入端A,NM2的漏极连接第一NMOS晶体管NM1的漏极和第一PMOS晶体管PM1的漏极的连接点,NM2的源极连接电路中间信号端Q1;第三NMOS晶体管NM3的栅极连接信号输入端B,NM3的源极连接地端;第四NMOS晶体管NM4的栅极连接电路中间信号端Q1,NM4的源极连接第六NMOS晶体管NM6的漏极和第四PMOS晶体管PM4的漏极的连接点;第五NMOS晶体管NM5的栅极连接电路中间信号端Q1,NM5的漏极连接第四NMOS晶体管NM4的漏极和第三PMOS晶体管PM3的漏极的连接点,NM5的源极连接和输出端S;第六NMOS晶体管NM6的栅极连接信号输入端C,NM6的源极连接地端;第七NMOS晶体管NM7的栅极连接电路中间信号端Q1,NM7的源极连接信号输入端C;第八NMOS晶体管NM8的栅极连接电路中间信号端Q1,NM8的漏极连接第七NMOS晶体管NM7的漏极和第五PMOS晶体管PM5的漏极的连接点,NM8的源极连接进位输出端CO;

所述的第一PMOS晶体管PM1的栅极连接信号输入端A,PM1的源极连接电源信号VCC;第二PMOS晶体管PM2的栅极连接信号输入端B,PM2的源极连接电源信号VCC;第三PMOS晶体管PM3的栅极连接电路中间信号端Q1,PM3的源极连接电源信号VCC;第四PMOS晶体管PM4的栅极连接信号输入端C,PM4的源极连接电源信号VCC;第五PMOS晶体管PM5的栅极连接电路中间信号端Q1,PM5的源极连接电源信号VCC;

其中,信号输入端A和信号输入端B用于输入加数输入信号,信号输入端C用于输入进位输入信号。