1.一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)的上方设置有半导体异质结(2)，所述半导体异质结(2)的上方设置有多个间隔排列的贵金属块(7) ,所述基底层(1)与半导体异质结(2)之间还设置有相互间隔的第一电极(3)、第二电极(4)。2.如权利要求1所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体异质结(2)包括半导体层(5)，设置于半导体层(5)上方的多个相互间隔的半导体块(6)。3.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体块(6)为周期排列。4.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述贵金属块(7)设置于半导体层(5)的上方。5.如权利要求4所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述贵金属块(7)与半导体块(6)间隔排列。6.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体层(5)与半导体块(6)为不同的半导体材料制成。7.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体层(5)的价带和导带均高于半导体块(6)的价带和导带。8.如权利要求2所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述半导体层(5)是二氧化钛(TiO2)制成，所述半导体块(6)是二硫化钨制成。9.如权利要求1所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述贵金属块(7)为周期排列。10.如权利要求1所述的一种贵金属增强型半导体异质结气体传感器，其特征在于：所述贵金属块(7)为楔形。