1.一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述衬底包括基底层，所述基底层的一侧固定设置第一半导体层，所述第一半导体层远离所述基底层一侧固定设置有第二半导体层，所述第二半导体层的面积小于所述第一半导体层的面积，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于所述衬底的表面；

所述第二半导体层的材料的折射率小于所述第一半导体层的材料的折射率；所述第一半导体层的材料为二氧化钛，所述第二半导体层的材料为氧化锌；所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度均小于入射激光的入射深度；

所述第二半导体层为块状阵列结构，相邻第二半导体块之间的间距相等，相邻所述第二半导体块之间形成局域空间；

所述第一半导体层远离所述基底层一侧表面上设置有凹陷结构，所述凹陷结构设置于所述第一半导体层表面上未设置有所述第二半导体层处；所述凹陷结构的深度为所述第一半导体层厚度的三分之一到二分之一；所述凹陷结构的截面形状为内窄外宽的楔形。

2.根据权利要求1所述的半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述基底层远离所述第一半导体层一侧固定设置有反射层和支撑层。

3.根据权利要求2所述的半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述反射层和所述基底层之间固定连接，所述反射层和所述支撑层之间固定连接。

4.根据权利要求1所述的半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述基底层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求2所述的半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述反射层的材料为金属银。

6.根据权利要求2所述的半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述支撑层的厚度为1-3mm。