1.一种贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述衬底包括基底，所述基底的上表面设置贵金属层，所述贵金属层远离所述基底一侧设置有半导体层，所述半导体层包覆所述贵金属层；所述贵金属层包括第一贵金属颗粒，相邻所述第一贵金属颗粒之间有间距，所述贵金属层还包括第二贵金属颗粒，所述基底朝向所述贵金属层一侧的平面上设置有凹槽，所述凹槽设置于相邻所述第一贵金属颗粒之间，所述凹槽内部设置所述第二贵金属颗粒；入射激光由所述半导体层远离所述贵金属层一侧入射；所述第二贵金属颗粒的直径小于所述第一贵金属颗粒的直径；所述半导体层的厚度小于100nm。

2.根据权利要求1所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述第一贵金属颗粒的直径大于30nm且小于80nm。

3.根据权利要求2所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述凹槽的深度和宽度大于所述第二贵金属颗粒的直径，且小于所述第二贵金属颗粒直径的1.5倍。

4.根据权利要求3所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，相邻所述第一贵金属颗粒的间距为所述第一贵金属颗粒直径的0.5-2倍。

5.根据权利要求4所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述基底上表面中的每一个所述凹槽中均设置有所述第二贵金属颗粒。

6.根据权利要求1所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述第一贵金属颗粒的材料为金或银；所述第二贵金属颗粒的材料为金或银。

7.根据权利要求1所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述半导体层的材料为氧化锌或二氧化钛。

8.根据权利要求1所述的贵金属颗粒-半导体层复合表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述基底的材料为硅或氮化硅，所述基底的厚度为3-5mm。