1.一种半导体白光发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、在多量子阱内成型的多个V-pits和第二导电型半导体，其特征在于：多个所述V-pits由多组相临设置的第一V-pits和第二V-pits组成，第一V-pits发出红光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱，其中，CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤y≤1；第二V-pits发出绿光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱，其中，，ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤z≤1；第一V-pits和第二V-pits之间具有发出蓝光的多量子阱；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。

2.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱掺杂Mg，所述ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱掺杂Mg，使V-pits的空穴浓度大于1018 cm-3。

3.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V-pits和第二V-pits的开口尺寸为50~500 nm，所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱和ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱的直径约40 400 nm，小于V-pits的开口尺寸。

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4.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，In组分0.15

5.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：多个所述V-pits在多量子阱区域均匀分布设置。