1.一种半导体白光发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、在多量子阱内成型的多个V形坑(V-pits)和第二导电型半导体，其特征在于：多个所述V形坑(V-pits)由多组相邻设置的第一V形坑和第二V形坑组成，第一V形坑发出红光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱，其中，CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤y≤1；第二V形坑发出绿光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱，其中，ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤z≤1；第一V形坑和第二V形坑之间具有发出蓝光的多量子阱；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。

2.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱掺杂Mg，所述ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱掺杂Mg，使V形坑(V-pits)的空穴浓度大于1018cm-3。

3.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V形坑和第二V形坑的开口尺寸为50～500nm，所述的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱和ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱的直径为40～400nm，小于V形坑(V-pits)的开口尺寸。

4.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，In组分0.15

5.根据权利要求1所述一种半导体白光发光二极管，其特征在于：多个所述V形坑(V-pits)在多量子阱区域均匀分布设置。