1.一种白光发光二极管，其特征在于，包括：无机发光层结构、金属纳米颗粒、有机发光聚合物；所述金属纳米颗粒位于所述无机发光层结构之上，所述金属纳米颗粒上覆盖所述有机发光聚合物；

所述无机发光层结构包括无机LED发光层；所述金属纳米颗粒与所述无机LED发光层之间的距离小于50nm。

2.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、N型氮化物半导体层、无机LED发光层、P型氮化物半导体层。

3.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、P型氮化物半导体层、无机LED发光层、N型氮化物半导体层。

4.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒、金纳米颗粒、金银合金纳米颗粒中的一种；所述有机发光聚合物为PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一种。

5.一种白光发光二极管的制备方法，其特征在于，在无机发光层结构上沉积金属纳米颗粒，在所述金属纳米颗粒上沉积有机发光聚合物；

所述无机发光层结构包括无机LED发光层；所述金属纳米颗粒与所述无机LED发光层之间的距离小于50nm。

6.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、N型氮化物半导体层、无机LED发光层、P型氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述无机发光层结构的所述P型氮化物半导体层上利用光刻成型和等离子腐蚀形成一系列的气孔，所述气孔不穿透所述P型氮化物半导体层；

在所述气孔中通过热蒸发或溶液工艺沉积所述金属纳米颗粒；

在所述金属纳米颗粒上沉积所述有机发光聚合物。

8.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、P型氮化物半导体层、无机LED发光层、N型氮化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述无机发光层结构的所述N型氮化物半导体层上，利用光刻成型和等离子腐蚀形成一系列的气孔，所述气孔不穿透所述N型氮化物半导体层；

在所述气孔中通过热蒸发或溶液工艺沉积所述金属纳米颗粒；

在所述金属纳米颗粒上沉积所述有机发光聚合物。

10.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒、金纳米颗粒、金银合金纳米颗粒中的一种；所述有机发光聚合物为PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一种。