1.一种氮化物半导体白光发光二极管，依次包括衬底、缓冲层、位错线、纳米位错过滤模板层、第一导电型半导体、多量子阱、V形坑(V-pits)、第二导电型半导体，其特征在于：多个所述的V形坑(V-pits)经过纳米位错过滤模板层过滤位错后，在多量子阱区域形成均匀分布设置，多个所述的V形坑(V-pits)包含多组相邻设置的第一V形坑和第二V形坑，第一V形坑和第二V形坑之间为发出蓝光的多量子阱，第一V形坑开口位置设有发出红光的WS2/MoS2超晶格二维材料，第二V形坑开口位置设有发出绿光的GaS/InSe超晶格二维材料，红绿蓝光混合出射出白光。

2.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的WS2/MoS2超晶格二维材料由WS2二维材料和MoS2二维材料构成，WS2二维材料和MoS2二维材料的层数均小于3层，使该第一V形坑射出红光。

3.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的GaS/InSe超晶格二维材料由GaS二维材料和InSe二维材料构成，GaS二维材料和InSe二维材料的层数均小于3层，使该第二V形坑射出绿光。

4.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的纳米位错过滤模板层由多个尺寸为10nm

5.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V形坑和第二V形坑之间的发出蓝光的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，其中In组分为0.15

6.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V形坑的开口尺寸、第二V形坑的开口尺寸，以及第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱的尺寸均为纳米级别。

7.根据权利要求1或6所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述第一V形坑和第二V形坑在多量子阱中均匀分布，第一V形坑的开口大小为50～300nm，第二V形坑的开口大小为50～300nm，第一V形坑和第二V形坑之间的多量子阱尺寸为50～300nm。