1.一种氮化物半导体白光发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体、缓冲层、纳米位错过滤模板层、多个V-pits、多量子阱和第二导电型半导体，其特征在于：多个所述的V-pits经过纳米位错过滤模板层过滤位错后，在多量子阱区域形成均匀分布设置，多个所述的V-pits包含多组相临设置的第一V-pits和第二V-pits，第一V-pits和第二V-pits之间为发出蓝光的多量子阱，第一V-pits开口位置设有发出红光的WS2/MoS2超晶格二维材料，第二V-pits开口位置设有发出绿光的GaS/InSe超晶格二维材料，红绿蓝光混合出射出白光。

2.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的WS2/MoS2超晶格二维材料由WS2二维材料和MoS2二维材料构成，WS2二维材料和MoS2二维材料的层数均小于3层，使该第一V-pits出射红光。

3.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的GaS/InSe超晶格二维材料由GaS二维材料和InSe二维材料构成，GaS二维材料和InSe二维材料的层数均小于3层，使该第二V-pits出射绿光。

4.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的纳米位错过滤模板层由多个尺寸为10 nm 

100 nm，使每个纳米位错模板层之间的向上延伸的位错线小于3条，在每个纳米位错模板层间隙位置仅形成1个V-pits，使多个V-pits在量子阱均匀分布。

5.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V-pits和第二V-pits之间的发出蓝光的多量子阱为InxGa1-xN/GaN量子阱，其中In组分为0.15

6.根据权利要求1所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述的第一V-pits的开口尺寸、第二V-pits的开口尺寸，以及第一V-pits和第二V-pits之间的多量子阱的尺寸均为纳米级别。

7.根据权利要求1或6所述一种氮化物半导体白光发光二极管，其特征在于：所述第一V-pits和第二V-pits在多量子阱中均匀分布，第一V-pits的开口大小为50 300 nm，第二V-~pits的开口大小为50 300 nm，第一和第二V-pits之间的多量子阱尺寸为50 300 nm。

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