1.一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管,依次包括衬底、第一导电型半导体,量子阱,V-pits和第二导电型半导体,在V-pits侧壁上生长强极化空穴注入层,在强极化空穴注入层之间生长V-pits填充层,其特征在于:所述强极化空穴注入层为 BxAl1-xN/SczIn1-zN、BxInyGa1-x-yN/SczAlkGa1-z-kN、 BxSczGa1-x-zN/InyAlkGa1-y-kN 、BxAlkGa1-x-kN /SczInyGa1-y-zN超晶格的任意一个或任意组合,其中1>x>0, 1> y>0, 1> z>0, 1> k>0,超晶格的周期数为L≥1,强极化空穴注入层形成强极化系数m≥ 3.0 cm-2,m大于GaN的0.65 cm-2和AlN的1.55 cm-2,形成V-pits侧壁高空穴浓度p > 1018 cm-3。
2.根据权利要求1所述一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管,其特征在于:所述的强极化空穴注入层的厚度为1埃 500埃。
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3.根据权利要求1所述一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管,其特征在于:所述的强极化空穴注入层掺杂Mg元素,使Mg激活能降低至100 meV以下。
4.根据权利要求1所述的一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管,其特征在于:所述的V-pits存在量子阱中,V-pits的开口尺寸约20 500 nm。
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5.根据权利要求1所述的一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管,其特征在于:所述的强极化空穴注入层位置沉积在V-pits的斜侧壁,V-pits的开口角度为50~
70度。