1.一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带的制备方法，包括下述步骤：

(a)首先将刚玉管送入高温水平管式炉中；

(b) 将99.99 wt%的Zn粉、99.99 wt%的Ga2O3粉和99.99 wt%的Sn粉按照摩尔比为1:

0.05:0.05的比例在研钵中研磨0.5-1h, 混合均匀后放置在氧化铝小料舟的一侧后，将其送入高温水平管式炉的高温加热区；

(c)将刚玉管内抽真空，待真空度达到1-10Pa时，向刚玉管内以20-100 SCCM(standard cubic centimeters per minute)的流速通入纯Ar，其环境压力维持在4.0-4.5×102Pa；

(d)将炉体升温到800-1000℃后将氩气关闭，向刚玉管中以10-30 SCCM的流量通入纯O2 环境压力维持在1-10×102Pa，保温20-60min后将系统关闭，待炉体冷却，将小料舟拿出，刮下乳白色奶油状沉积物即为所需的Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带。

2.如权利要求1所述制备方法制得的Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带。