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专利号: 2020110612404
申请人: 西安理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:步骤1,按配比称量ZnO、Ga2O3、TiO2粉末,并进行球磨,得到混合粉末;所述步骤1中按照分子式Zn0.998‑x‑yGaxTiyO,其中0<x≤0.01,0<y≤0.01,称量ZnO、Ga2O3、TiO2粉末;

步骤2,将步骤1所得混合粉末过筛;

步骤3,将步骤2所得粉末等静压成型;

步骤4,将步骤3成型的坯体进行固相烧结,烧结后随炉冷却得到Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料。

2.根据权利要求1所述的一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2中先将混合粉末置于100目筛过筛,再经过200目筛过筛,取100‑200目之间粉末晾干备用。

3.根据权利要求1所述的一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3的成型过程:先将粉末预压成型,成型压力为5 10MPa、保压时间为30 90s;随后将~ ~预成型坯体等静压成型,成型压力为20 25MPa,保压时间为5 10min。

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4.根据权利要求1所述的一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3等静压成型时,坯体应处于真空状态。

5.根据权利要求1所述的一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤4的烧结温度为900 1300℃,保温时间为10 15h,烧结完成后以2℃/min的速率降至~ ~室温。

6.根据权利要求1所述的一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1中球磨时,利用乙醇进行湿法球磨,球料质量比为5:1,球磨时间为8 10h。

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