1.一种窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的接地金属层、介质层和金属贴片层；

所述接地金属层的上表面覆盖所述介质层的下表面，所述介质层的上表面覆盖所述金属贴片层的下表面；所述接地金属层和所述介质层的横切面形状相同；

所述金属贴片层采用U型结构金属贴片设计得到，所述金属贴片具有向内收缩的T型开口；所述金属贴片的尺寸为lx×ly，lx表示金属贴片的宽度，ly表示金属贴片的长度，所述T型开口位于所述金属贴片的较长边；所述T型开口分为横向块和竖向块，所述横向块向外，所述竖向块向内；且所述金属贴片层去除所述T型开口后的剩余部分为对称结构，从而在基本谐振模式的基础上诱导激发产生频率相近的多种高阶谐振模式，实现窄带和宽带吸收功能；

所述T型开口的尺寸满足：，；其中，表示所述T型开口的横向块的宽度，表示所述T型开口的横向块的深度，表示所述T型开口的竖向块的深度，表示所述T型开口的竖向块的宽度。

2.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层的材料包括金、银、铜中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层的厚度为0.4µm，以实现对入射电磁波进行全反射。

4.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述金属贴片层的材料包括金、银、铜中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅、氧化铝、聚乙烯环烯烃共聚物和聚酰亚胺中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的介电常数的实部为3，损耗角正切值为0.06。

7.根据权利要求5所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的厚度为6.5µm。

8.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层和所述介质层的横切面形状包括多边形、圆形、椭圆形中的一种。