1.一种宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，其特征在于，宽带可调谐太赫兹波吸收器结构包括：掺杂半导体材料基体(1)，掺杂半导体材料基体(1)表面制作有一层微结构阵列，该微结构阵列包含若干均匀排列的微结构单元(2)，该微结构单元(2)能够响应THz波，所述微结构单元(2)中还设计有矩形波导结构(3)以增加吸收带宽，所述掺杂半导体材料基体(1)为p型硅材料，掺杂浓度为0.3×1017/cm3，半导体材料基体厚度为250～300μm，电阻率为0.5Ω·cm，所述微结构单元(2)为H型微结构单元，每个H型微结构单元相对几何中心上下、左右均对称，H型微结构单元厚度为53μm，所述H型微结构单元中间半导体的长和宽都是d＝8～12μm，矩形波导结构(3)竖直开设于H型微结构单元的两条长边上，两边矩形波导结构(3)长a＝82μm，宽l＝12μm，所述掺杂半导体材料基体(1)表面的微结构阵列周期为α＝110μm，具体按照以下步骤实施：步骤1、清洗抛光硅片，并干燥处理，干燥处理过程为：将衬底放置在热板上，控制温度为130°，烘烤时间2分钟；

步骤2、将经步骤1干燥处理后的硅片一侧表面旋涂一层光刻胶，再次将涂有光刻胶的衬底进行二次干燥处理，干燥处理过程为：将涂有光刻胶的衬底放置在热板上，控制温度为

130°，烘烤时间2分钟；

步骤3、将掩膜版对准硅衬底后进行曝光，显影后得到周期性的结构图案；

步骤4、利用深度反应离子刻蚀技术获得最终的微结构单元，微结构单元的刻蚀厚度为

53μm，并利用丙酮去除剩余光刻胶，即得到宽带可调谐太赫兹波吸收器。