1.一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，包括掺杂半导体材料基体(1)，掺杂半导体材料基体(1)表面制作有一层微结构阵列，该微结构阵列包含若干均匀排列的微结构单元(2)，该微结构单元(2)能够响应THz波，所述微结构单元(2)中还设计有矩形波导结构(3)以增加吸收带宽。

2.根据权利要求1所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，所述掺杂半导体材料基体(1)为p型硅材料，掺杂浓度为～0.3×1017/cm3，半导体材料基体厚度为250～

300μmm，电阻率为0.5Ω·cm。

3.根据权利要求1或2任一项所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，所述微结构单元(2)为H型微结构单元，每个H型微结构单元相对几何中心上下、左右均对称，H型微结构单元厚度为53μm。

4.根据权利要求3所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，所述H型微结构单元中间半导体的长和宽都是d＝8～12μm，两边矩形波导结构(3)长a＝82μm，宽l＝12μm。

5.根据权利要求1所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，所述掺杂半导体材料基体(1)表面的微结构阵列周期为a＝110μm。

6.根据权利要求1所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器，其特征在于，所述微结构单元(2)为能够响应THz波的图形结构，比如圆柱型、方型或其他分形结构。

7.一种宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、清洗抛光硅片，并干燥处理；

步骤2、将经步骤1干燥处理后的硅片一侧表面旋涂一层光刻胶，再次将涂有光刻胶的衬底进行二次干燥处理；

步骤3、将掩膜版对准硅衬底后进行曝光，显影后得到周期性的结构图案；

步骤4、利用深度反应离子刻蚀技术获得最终的微结构单元，并利用丙酮去除剩余光刻胶，即得到宽带可调谐太赫兹波吸收器。

8.根据权利要求7所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，其特征在于，步骤1中干燥处理过程为：将衬底放置在热板上，控制温度为130°，烘烤时间2分钟。

9.根据权利要求7所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，其特征在于，步骤2中干燥处理过程为：将涂有光刻胶的衬底放置在热板上，控制温度为130°，烘烤时间2分钟。

10.根据权利要求7所述的一种宽带可调谐太赫兹波吸收器的制作方法，其特征在于，步骤4中微结构单元的刻蚀厚度为53μm。