1.一种可调谐多波段超窄带电磁波吸收器，包括金属衬底层、介质层和超表面结构层，所述介质层连接于所述金属衬底层上表面，所述超表面结构层连接于所述介质层上表面，其特征在于：所述超表面结构层由周期排列的硅纳米线组成。

2.根据权利要求1所述的可调谐多波段超窄带电磁波吸收器，其特征在于：所述硅纳米线周期排列，硅纳米线的间距为200纳米。

3.根据权利要求2所述的可调谐多波段超窄带电磁波吸收器，其特征在于：所述硅纳米线的半径为180～300纳米。

4.根据权利要求3所述的可调谐多波段超窄带电磁波吸收器，其特征在于：所述介质层的材料为二氧化硅，厚度为320纳米。

5.根据权利要求4所述的可调谐多波段超窄带电磁波吸收器，其特征在于：所述金属衬底层的材料为银，厚度为500纳米。

6.根据权利要求1～5任一权利要求所述的可调谐多波段超窄带电磁波吸收器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用物理沉积方法，在衬底上沉积金属膜层；

步骤2：采用物理沉积方法，在所述金属膜层上沉积介质层；

步骤3：采用热蒸发法，蒸发Si粉末，在惰性气体气流的作用下，将蒸汽态的Si输运到所述介质层上，沉积硅纳米线，得到可调谐多波段超窄带电磁波吸收器。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述物理沉积方法包括磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法、真空电子束镀膜技术和离子束溅射镀膜法。