1.一种半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，包括基底、半导体层、第一导体侧壁、第二导体侧壁、第一绝缘体侧壁、第二绝缘体侧壁；所述半导体层置于所述基底上，所述第一导体侧壁、所述第二导体侧壁、所述第一绝缘体侧壁、所述第二绝缘体侧壁置于所述半导体层上的四周并围成凹槽，在所述凹槽内，所述半导体层上设有孔洞，所述第一导体侧壁和所述第二导体侧壁相对设置，所述第一绝缘体侧壁和所述第二绝缘体侧壁相对设置；应用时，将贵金属颗粒与待测分子溶液滴落在所述凹槽内，其中贵金属颗粒表面已经被表面活性剂修饰过，用以链接待测分子；通过所述第一导体侧壁和所述第二导体侧壁联通外电路，在所述半导体层中形成电流并产生热，从而使得所述半导体层周围温度升高，贵金属颗粒和待测分子溶液产生热泳现象，聚集在所述半导体层的表面，提高了表面增强拉曼散射的增强因子。

2.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述基底为绝缘材料。

3.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述第一导体侧壁和所述第二导体侧壁的材料为金属。

4.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述第一绝缘体侧壁和所述第二绝缘体侧壁的材料为绝缘体。

5.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述半导体层的材料为金属氧化物。

6.如权利要求5所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述金属氧化物为氧化锌、氧化钛、氧化铜、氧化银、三氧化二铁。

7.如权利要求6所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞的直径大于10纳米、小于1000纳米。

8.如权利要求7所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞周期排布。

9.如权利要求8所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞排布的周期为方形周期。