1.一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：包括密闭腔体，所述密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；所述密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置，所述双层冷凝装置用于给所述密闭腔体制冷；

所述密闭腔体的顶部设有密封盖板，所述密封盖板设于所述双层冷凝装置的上方，所述密封盖板的板面设有若干自动入口，所述若干自动入口分别对应下方的所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置，所述自动入口设有红外感应装置，每两个所述自动入口之间的上方设有可移动的机械手，所述机械手用于把半导体电路基板放入相应的装置中。

2.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置均设有溢流口和回液口；

所述浸泡粗洗装置的溢流口与所述超声波粗洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置的溢流口与所述超声波精洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置的溢流口与所述蒸馏回收装置的回液口通过管道连通，所述蒸馏回收装置的溢流口与所述浸泡粗洗装置的回液口通过管道连通。

3.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一清洗槽，所述超声波粗洗装置包括第二清洗槽，所述超声波精洗装置包括第三清洗槽；

所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的槽底均呈漏斗倾斜状。

4.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述超声波粗洗装置包括第一超声波发生器，所述超声波精洗装置包括第二超声波发生器；

所述第一超声波发生器和所述第二超声波发生器产生的超声波的频率为40Hz且震动方式为底震。

5.根据权利要求3所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一温度控制组件，所述超声波粗洗装置包括第二温度控制组件，所述超声波精洗装置包括第三温度控制组件；

所述第一温度控制组件、所述第二温度控制组件和所述第三温度控制组件均包括加热板，所述加热板贴合设置于所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的外侧。

6.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一回收槽，所述超声波粗洗装置包括第二回收槽，所述超声波精洗装置包括第三回收槽；

所述第一回收槽、所述第二回收槽、所述第三回收槽均为封闭结构。

7.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述蒸馏回收装置包括第四回收槽和加热恒温组件；

所述第四回收槽的槽底呈锥型结构，并且槽体内设置有掏渣口，所述掏渣口用于隔离清洗后溶液表面的残留物；

所述加热恒温组件包括加热棒和储液槽，所述加热棒放置在所述储液槽内，所述储液槽用于存储过滤后的清洗溶液。

8.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：还设置有热风干燥装置，所述热风干燥装置位于所述密闭腔体的外部，所述热风干燥装置用于让所述密闭腔体外的空气保持干燥。

9.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一循环过滤器，所述超声波粗洗装置包括第二循环过滤器，所述超声波精洗装置包括第三循环过滤器；

所述第一循环过滤器、所述第二循环过滤器以及所述第三循环过滤器均用于过滤掉清洗后溶液的漂浮物。

10.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述超声波精洗装置还包括冷冻干燥器，所述冷冻干燥器用于冷却和干燥清洗后的半导体电路基板。