1.一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极为薄膜层状，所述栅极置于所述绝缘层的底部，所述拓扑绝缘体层置于所述绝缘层上，所述源极和所述漏极置于所述拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于所述拓扑绝缘体层上且在所述源极和所述漏极之间，同时应用圆偏振光照射所述手性分子，不同圆偏振光照射时，对手性分子与拓扑绝缘体层之间异质结的作用不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过所述拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测；

其中，所述拓扑绝缘体层表面设有凹槽，手性分子置于所述凹槽内，凹槽置于源极和漏极之间，凹槽不穿透拓扑绝缘体层，以便于在凹槽底部也具有拓扑绝缘体材料的表面态，由于拓扑绝缘体层的表面态分布在拓扑绝缘体材料的表面，在凹槽的底部也具有表面态，凹槽不会影响手性分子与表面态的接触，且在拓扑绝缘体层上设置凹槽，有利于将手性分子设置在固定区域；

所述凹槽为锥形；锥形的底边直径大于2微米，凹槽周期性地分布在拓扑绝缘体层的表面，相邻凹槽之间的距离大于200纳米且小于1微米，使得入射光更容易被聚集在锥形凹槽内，在锥形凹槽内形成强手性场，手性分子更容易聚集在凹槽内，强手性场聚集在了手性分子所在的区域，增强了强手性场与异质结的作用，改变了拓扑绝缘体层的表面态，实现手性分子的手性探测；

其中，所述绝缘层的材料为二氧化硅；

所述拓扑绝缘体层的材料为碲化铋或硒化铋或碲化锑。

2.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述栅极的材料为金或铟镓合金。

3.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述源极和所述漏极的材料为金或银或铂。