1.一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，所述栅极置于所述绝缘层的底部，所述拓扑绝缘体层置于所述绝缘层上，所述源极和所述漏极置于所述拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于所述拓扑绝缘体层上所述源极和所述漏极之间，同时应用圆偏振光照射所述手性分子。

2.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述栅极的材料为金或铟镓合金。

3.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述源极和所述漏极的材料为金或银或铂。

4.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述绝缘层的材料为二氧化硅。

5.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述拓扑绝缘体层的材料为碲化铋或硒化铋或碲化锑。

6.如权利要求1所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述拓扑绝缘体层表面设有凹槽，所述手性分子置于所述凹槽内。

7.如权利要求6所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述凹槽为圆形。

8.如权利要求6所述的基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，其特征在于：所述凹槽为环形。