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专利号: 2021115957773
申请人: 浙江树人学院(浙江树人大学)
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2026-03-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于,包括衬底、拓扑绝缘体纳米线、第一电极、第二电极、磁致伸缩块,所述拓扑绝缘体纳米线、所述第一电极、所述第二电极置于所述衬底上,所述第一电极和所述第二电极分别固定在所述拓扑绝缘体纳米线的两端,所述第一电极和所述第二电极也固定在所述衬底上,所述磁致伸缩块设置在所述拓扑绝缘体纳米线上。

2.如权利要求1所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述衬底的材料为二氧化硅。

3.如权利要求1所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述拓扑绝缘体纳米线的材料为碲化铋。

4.如权利要求1所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述第一电极和所述第二电极的材料为铂。

5.如权利要求1所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述磁致伸缩块的厚度大于2微米。

6.如权利要求1所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述磁致伸缩块的宽度大于所述拓扑绝缘体纳米线的宽度。

7.如权利要求1‑6任一项所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:在所述拓扑绝缘体纳米线上侧,所述磁致伸缩块上设有通孔。

8.如权利要求7所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述通孔为圆形。

9.如权利要求8所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述通孔为多个。

10.如权利要求9所述的拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,其特征在于:所述通孔的直径大于100纳米。