1.一种拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于，包括太赫兹源、太赫兹探测器、衬底、拓扑绝缘体层、凸起部、施压层，所述拓扑绝缘体层置于所述衬底上，所述凸起部设置在所述拓扑绝缘体层的表面，所述施压层设置在所述凸起部上，所述太赫兹源发射的太赫兹波穿过所述施压部，照射所述拓扑绝缘体层，所述太赫兹探测器探测所述拓扑绝缘体层反射的太赫兹波，通过反射太赫兹波的变化实现微压力探测。

2.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述衬底的材料为氧化铝。

3.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述拓扑绝缘体层的材料为硒化铋或碲化铋。

4.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述施压部的材料为氧化铝。

5.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述凸起部的材料为拓扑绝缘体材料。

6.如权利要求5所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述凸起部的材料与所述拓扑绝缘体层的材料相同。

7.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述凸起部周期性分布。

8.如权利要求7所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述周期为方形周期。

9.如权利要求1所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述凸起部为圆柱形。

10.如权利要求9所述的拓扑绝缘体微压力探测装置，其特征在于：所述凸起部的直径小于200纳米。