1.一种D‑A‑D型有机半导体材料，其特征在于，具有式(5)所示的化学结构式：

2.如权利要求1所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：使式(1)化合物与式(2)化合物反应生成式(3)所示化合物；使式(3)化合物与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物，即D‑A‑D型有机半导体材料，反应方程式如下所示：

3.根据权利要求2所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤一，使式(1)化合物在混合溶剂乙醇和乙酸中，氩气保护条件下，与式(2)化合物发生反应生成式(3)所示化合物，其中化合物用量以物质的量计，式(1)化合物：式(2)化合物＝1：1～2，反应温度为100℃，反应时间为3～5h；

步骤二，使式(3)化合物在四氢呋喃溶剂中，氩气保护条件下，在四三苯基磷钯和碳酸钾作用下与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物，即D‑A‑D型有机半导体材料，其中化合物用量以物质的量计，式(3)化合物：式(4)化合物：四三苯基膦钯：碳酸钾＝1：2～5：0.02～0.1：4～10，反应温度为50～100℃，反应时间为4～12h。

4.根据权利要求2所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述方法的各步骤中还包含分离纯化的步骤。

5.如权利要求1所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用。