1.一种D‑A‑D型有机半导体材料,其特征在于,具有式(5)所示的化学结构式:
2.如权利要求1所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
使式(1)化合物与式(2)化合物反应生成式(3)所示化合物;使式(3)化合物与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物,即D‑A‑D型有机半导体材料,反应方程式如下所示:
3.根据权利要求2所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
步骤一,使式(1)化合物在混合溶剂乙醇和乙酸中,氩气保护条件下,与式(2)化合物发生反应生成式(3)所示化合物,其中化合物用量以物质的量计,式(1)化合物:式(2)化合物=1:1~2,反应温度为100℃,反应时间为3~5h;
步骤二,使式(3)化合物在四氢呋喃溶剂中,氩气保护条件下,在四三苯基磷钯和碳酸钾作用下与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物,即D‑A‑D型有机半导体材料,其中化合物用量以物质的量计,式(3)化合物:式(4)化合物:四三苯基膦钯:碳酸钾=1:2~5:0.02~0.1:4~10,反应温度为50~100℃,反应时间为4~12h。
4.根据权利要求2所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述方法的各步骤种还包含分离纯化的步骤。
5.如权利要求1所述的一种D‑A‑D型有机半导体材料作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用。