1.一种有机半导体材料，其特征在于，所示有机半导体材料为如下化学式所示的化合物P：

P:

其中，R为C1～C5中的烷基中的任意一种，n为10～100的整数。

2.一种基于权利要求1所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B，A：

B：

其中，R为C1～C5中的烷基中的任意一种，在无氧状态和惰性气体氛围下，将化合物A与化合物B按照摩尔比为1：1.2～1.5添加入有机溶剂中，并加入无机碱溶液和催化剂，在70～

130℃下进行反应5～14小时，停止反应得到有机半导体材料的化学式P，其中，R为C1～C5中的烷基中的任意一种，n为10～100的整数。

3.根据权利要求2所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，惰性气体为氮气或氩气。

4.根据权利要求2所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，有机溶剂选自四氢呋喃、乙腈、甲苯及N，N‑二甲基甲酰胺中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，无机碱溶液选自碳酸钠溶液、碳酸钾溶液及磷酸钾溶液中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，催化剂为铜粉、碘化亚铜或氧化亚铜。

7.一种如权利要求1所述的有机半导体材料在制备有机电致发光器件中的用途。