1.一种用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，包括：以铼‑氧化镁作催化剂，采用CVD法制得SWNTs；

所述SWNTs的直径大于1nm。

2.如权利要求1所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，采用浸渍法制备铼‑氧化镁Re/MgO催化剂。

3.如权利要求2所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，浸渍法的具体步骤为：

取氯化铼和氧化镁，溶于水中，混合均匀，得到混合溶液；

将所述混合溶液烘干，研磨、煅烧，得到铼‑氧化镁Re/MgO催化剂。

4.如权利要求3所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，氯化铼和氧化镁的质量比为1～3：100。

5.如权利要求3所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述煅烧的温度为1100～1200℃。

6.如权利要求3所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，氧化镁的制备方法为取碱式碳酸镁在马弗炉中450～500℃煅烧1.5～2小时。

7.如权利要求1所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述CVD法的具体条件为：于800～850℃时，通入CO，生长SWNTs。

8.如权利要求1所述的用铼做催化剂制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，CO气体的流速为300～400sccm，时间为40～60min。

9.权利要求1‑8任一项所述的方法制备的SWNTs。

10.权利要求9所述的SWNTs在制备电子器件、能量存储、光电传感、柔性显示、生物医药或复合材料中的应用。