1.三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂，其特征是，三硫化钼铼纳米片层状覆盖在石墨相氮化碳纳米管表面，所述三硫化钼铼纳米片为半层硫化铼与硫化钼形成的双层结构。

2.如权利要求1所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂，其特征是，三硫化钼铼纳米片中，钼和铼的原子摩尔比为：n钼：n铼＝1：1，构造了S‑Mo‑S‑Re‑S双层结构。

3.如权利要求1所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂，其特征是，以质量比计，三硫化钼铼:石墨相氮化碳＝1、3、5、7、9％；优选的，三硫化钼铼:石墨相氮化碳＝

7％。

4.如权利要求1所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂，其特征是，石墨相氮化碳纳米管的结构是：长度尺寸为2‑2.5μm、直径尺寸为0.8‑1.2μm的空心多孔纳米管。

5.三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法，其特征是，包括：将二水钼酸钠和高铼酸钠粉末添加到氮，氮‑二甲基甲酰胺中搅拌并充分溶解制备第一混合液；

向第一混合液中加入含有硫脲的氮，氮‑二甲基甲酰胺溶液和石墨相氮化碳纳米管，搅拌并充分混合制备第二混合液；

将第二混合液转移至反应釜中进行反应，将产物煅烧得到三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂。

6.如权利要求5所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法，其特征是，所述双氰胺的用量为1‑3g，优选的，为2g；

或，所述去离子水的用量为40‑60ml，优选的，为50ml；

或，所述水热反应釜为100ml的反应釜；所述水热反应的温度为170‑190℃，优选的，为

180℃；

或，水热反应保温时间为3‑5h，优选的，为4h；

或，所述煅烧时的升温速率为1.3‑3℃/min，优选的为2℃/min；

或，所述煅烧温度为550‑650℃，优选的，为600℃；

或，所述煅烧保温时间为3‑5h，优选的，为4h。

7.如权利要求5所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法，其特征是，所述二水钼酸钠的用量为1.28‑11.52mg；

或，所述高铼酸钠的用量为1.44‑12.96mg；

或，所述氮，氮‑二甲基甲酰胺的用量为10‑20ml，优选的，为15ml；

或，制备第一混合液时，搅拌的温度为45‑60℃，优选的，为50℃；

或，制备第一混合液时，搅拌的时间为0.5‑3h，优选的，为1h；

或，所述硫脲的用量为200‑250mg，优选的，为228mg；

或，用于溶解硫脲的氮，氮‑二甲基甲酰胺的用量为10‑20ml，优选的，为15ml；取硫脲放入氮，氮‑二甲基甲酰胺溶液中充分搅拌至完全溶解。

8.如权利要求5所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法，其特征是，所述石墨相氮化碳纳米管的添加量为150‑350mg，优选的，为200mg；

或，制备第二混合液时，搅拌的温度为55‑75℃，优选的，为65℃；

或，制备第二混合液时，搅拌的时间为20‑50min，优选的，为30min；或，将第二混合液转移至反应釜中进行反应的温度为200‑300℃，优选的，为240℃；

或，该反应的保温时间为20‑30h，优选的，为24h；反应后，冷却至室温；

进一步地，将第二混合液转移至反应釜中反应完成并冷却至室温后，用去离子水和乙醇清洗，并将洗涤后的沉淀物在真空干燥。

9.如权利要求5所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法，其特征是，将真空干燥后的沉淀物进行煅烧，所述煅烧升温速率为8‑12℃/min，优选的，为10℃/min；

或，煅烧在氩气、氮气任一一种保护气体氛围下进行；

或，煅烧的温度200‑300℃，优选的，为250℃；煅烧保温时间为2‑4h，优选的，为3h。

10.权利要求1‑4任一项所述的三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂和/或权利要求5‑9任一三硫化钼铼纳米片/氮化碳异质结构光催化剂的制备方法在光催化分解水产氢中的应用。