1.一种用于低功耗SAR ADC中的控制电路，其特征在于：包括电容阵列（10）、混合开关控制电路（20）、Vcm采样开关电路（30）和电压比较器（40），其中，电容阵列（10）包括同相端电容阵列（101）和反相端电容阵列（102）；混合开关控制电路（20）包括同相端混合开关控制电路（201）和反相端混合开关控制电路（202）；同相端电容阵列（101）与Vcm采样开关电路（30）相连，同时与电压比较器（40）的同相输入端相连；反相端电容阵列（102）与Vcm采样开关电路（30）相连，同时与电压比较器（40）的反相输入端相连；

同相端电容阵列（101）包括分段电容Ca、高电位段电容阵列和低电位段电容阵列，分段电容Ca将高电位段电容阵列和低电位段电容阵列串联；其中，高电位段电容阵列包括单位电容组Cpc、电容组CPM1、电容组CPM2、……、电容组CPM（M-1）、电容组CPMM和电容组CPMMs共M+2个电容组，单位电容组Cpc通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入同相输入信号Vip或共模电平Vcm；电容组CPM1、电容组CPM2、……、电容组CPM（M-1）均通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入同相输入信号Vip或共模电平Vcm或同相参考电平VRP或反相参考电平VRN；其中，最高位权重组包括电容组CPMM和电容组CPMMs均通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入同相输入信号Vip或同相参考电平VRP或反相参考电平VRN；低电位段电容阵列包括电容组CPL1、电容组CPL2、……、电容组CPLL共L个电容组，均通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入共模电平Vcm或同相参考电平VRP或反相参考电平VRN；同相端电容阵列（101）中除单位电容组Cpc外，其余电容均以二进制权值顺序排列；反相端电容阵列（102）与反相端混合开关控制电路（202）分别与同相端电容阵列（101）和同相端混合开关控制电路（201）对称；

单位电容组Cpc包括1个单位电容，电容组CPM1包括1个单位电容，电容组CPM2包括2个并联的单位电容，电容组CPM3由4个单位电容并联而成，……，电容组CPM（M-1）包括2M-2个并联的单位电容，最高权重电容组包括2M-1个并联的单位电容，其中，电容组CPMM包括2M-2个并联的单位电容，电容组CPMMs包括2M-2个并联的单位电容，共需2M个电容；电容组CPL1有1个单位电容，电容组CPL2由2个单位电容并联而成，……，电容组CPLL由2L-1个单位电容并联而成，共需2L-1个单位电容；反相端电容阵列（102）与反相端混合开关控制电路（202）分别与同相端电容阵列（101）和同相端混合开关控制电路（201）对称。

2.根据权利要求1所述的一种用于低功耗SAR ADC中的控制电路，其特征在于：其中：同相端电容阵列（101）中的高电位段电容阵列中各个电容的顶板相连，低电位段电容阵列中各个电容的顶板相连，分段电容Ca将两处顶板连接点串联，且高电位段电容阵列中各个电容的顶板接入电压比较器（40）的同相输入端，同时高电位段电容阵列中各个电容的顶板通过Vcm采样开关电路（30）接入共模电平Vcm；同相端电容阵列（101）中的单位电容组Cpc的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择连接同相输入信号Vip或共模电平Vcm，电容组CPM1、电容组CPM2、……、电容组CPM（M-1）的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择连接共模电平Vcm或同相参考电平VRP或反相参考电平VRN或接入同相输入信号Vip；最高位权重组的电容组CPMM和电容组CPMMs的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入同相参考电平VRP或反相参考电平VRN或同相输入信号Vip；同相端低电位电容阵列中的电容组CPL1、电容组CPL2、……、电容组CPLL的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择连接共模电平Vcm或同相参考电平VRP或反相参考电平VRN；反相端电容阵列（102）与反相端混合开关控制电路（202）分别与同相端电容阵列（101）和同相端混合开关控制电路（201）对称。

3.根据权利要求1所述的一种用于低功耗SAR ADC中的控制电路，其特征在于：该控制电路包括三个工作阶段，具体为：

采样阶段：同相端电容阵列（101）中单位电容组Cpc、电容组CPM1、电容组CPM2、……、电容组CPM（M-1）、电容组CPMM和电容组CPMMs的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入同相输入信号Vip，电容组CPL1、电容组CPL2、……、电容组CPLL中的电容底板通过同相端混合开关控制电路（201）接入共模电平Vcm，同时同相端电容阵列（101）的公共点接入共模电平Vcm；

电荷转移阶段：同相端电容阵列（101）中单位电容组Cpc、电容组CPM1、电容组CPM2、……和电容组CPM（M-1）的底板通过同相端混合开关控制电路（201）选择接入共模电平Vcm，电容组CPMM选择接入同相参考电平VRP，电容组CPMMs选择接入反相参考电平VRN，电容组CPL1、电容组CPL2、……、电容组CPLL的电容保持接共模电平Vcm，同时同相端电容阵列（101）的顶板通过Vcm采样开关电路（30）断开连接共模电平Vcm，同相输入信号Vip直接输入电压比较器（40）的同相端以完成第一次比较；

比较阶段：根据上一位的比较结果，同相端电容阵列（101）中最高位权重电容组CPMM和电容组CPMMs的底板选择接同相参考电平VRP或反相参考电平VRN，选择完成即比较建立，然后进行第二次信号比较，以此类推，直到完成所有比较。

4.根据权利要求1所述的一种用于低功耗SAR ADC中的控制电路，其特征在于：同相端混合开关控制电路（201）和反相端混合开关控制电路（202）组成双端信号输入，同相端电容阵列（101）和反相端电容阵列（102）双端输入输出；其中，共模电平为：。