1.一种超低功耗电压基准电路，其特征在于，包括：启动电路模块、电流产生电路模块和输出电压基准电路模块；

所述启动电路模块与所述电流产生电路模块连接，所述电流产生电路模块与所述输出电压基准电路模块连接；

所述启动电路模块，用于向所述电流产生电路模块注入电压启动信号，包括NMOS管MS1、MS2和MS3，以及PMOS管MC；所述MC的漏极和所述MC的源极均与电源连接，所述MC的栅极与所述MS2的栅极、所述MS3的栅极相连，所述MS2和所述MS3分别构成两个启动回路，所述MS2组成的第一启动回路通过所述电流产生电路模块的运放OP的反相输入端给PMOS电流镜注入启动信号，所述MS3组成的第二启动回路通过所述电流产生电路模块的运放OP的同相输入端给PMOS电流镜注入启动信号；所述MS1的漏极与所述MS2的栅极、所述MS3的栅极连接，所述MS1的源极接地，所述MS1的栅极连接到电压基准输出端Vref；

所述电流产生电路模块，用于根据所述电压启动信号产生正温度系数电流，并将所述正温度系数电流复制到所述输出电压基准电路模块；其中，所述正温度系数电流为与电源无关的偏置电流；具体的，

所述电流产生电路模块包括三条电流支路和一个运放OP，所述三条电流支路由NMOS管M1、M2、M3、M4和M5，以及PMOS管PM1、PM2和PM3组成；所述PM1、PM2和PM3以电流镜结构连接，即PM1、PM2和PM3的栅极连接并引出产生电流输出端，并连接到所述运放OP的输出端，所述PM1、PM2和PM3的源极接电源；所述M1和所述M3分别接成二极管形式，即M1和M3各自的栅极和漏极相连，所述M2和所述M4的源极接地，所述M1的源极和所述M2的漏极连接，并接入运放OP的反相输入端，所述M1的漏极和所述PM1的漏极连接，所述M1的栅极和漏极均与所述M2的栅极连接，所述M3的漏极和栅极均与所述PM2的漏极连接，所述M4的漏极与所述M3的源极连接，并接入所述运放OP的同相输入端；所述M5的栅极接到漏极，连接成二极管形式，所述M5的源极接地，所述M5的栅极和漏极均与M4的栅极连接，同时与所述PM3的漏极相连；

所述输出电压基准电路模块，用于对所述正温度系数电流进行温度补偿，输出基准电压；其中，所述输出电压基准电路模块包括PMOS管PM4、PM5和NMOS管M6、M7、M8；所述PM4、PM5的栅极相连，作为所述输出电压基准电路模块的输入端，并与所述电流产生电路模块的产生电流输出端连接，所述PM4、PM5的源极接电源，所述M6的漏极和栅极以及所述M7的栅极与所述PM4的漏极连接，所述M7的漏极与所述M6的源极连接，所述M7的源极接地，所述M8的源极与所述M7的漏极连接，所述M8的漏极和栅极与所述PM5的漏极连接作为基准输出端Vref，所有MOS管均工作在亚阈值区。

2.根据权利要求1所述的超低功耗电压基准电路，其特征在于，所述电流产生电路模块的NMOS管M5工作在饱和区，所述电流产生电路模块的NMOS管M4工作在深性线性区，所述电流产生电路模块的其余MOS管均工作在亚阈值区。