1.一种磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将二氰二胺与三聚氰酸混合均匀后作为前驱体，然后将前驱体均匀平铺在耐热载体底部，所述的二氰二胺与三聚氰酸的质量比为2‑3：1；

（2）将基底直接平放在步骤（1）的前驱体之上，用铝箔材料包裹后将耐热载体置于管式炉中；

（3）气氛保护下，在加热装置中以1‑10℃/min的升温速率升温至500‑580℃并保持1‑5 h后冷却至室温，得到石墨相氮化碳薄膜电极；

（4）配制次磷酸钠溶液，在石墨相氮化碳薄膜电极上滴涂浓度为1mol/L次磷酸钠溶液

50μL，干燥；

（5）气氛保护下，于加热装置中以5‑10℃/min的升温速率升温至350‑400℃并保持60‑

90 min后冷却至室温，得到磷掺杂石墨相氮化碳薄膜。

2.根据权利要求1所述的磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的耐热载体包括瓷舟。

3.根据权利要求1所述的磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的基底材料为氟掺杂的氧化锡。

4.根据权利要求1所述的磷掺杂石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的气氛为N2或Ar。