1.一种透明荧光铁电陶瓷材料，所述透明荧光铁电陶瓷材料的化学式为：[0.95K0.5Na0.5NbO3‑0.05Sr(Bi0.5Nb0.5)O3]‑0.1％Ho‑x％Yb，x＝0.5～2。

2.根据权利要求1所述的透明荧光铁电陶瓷材料，其特征在于，所述透明荧光铁电陶瓷材料的化学式中x＝1～1.5。

3.权利要求1或2所述透明荧光铁电陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将碳酸钾、碳酸钠、五氧化二铌、碳酸锶、氧化铋、氧化钬和氧化镱混合后依次进行一级球磨处理和一级预烧处理，得到一级陶瓷粉体；

(2)将所述步骤(1)得到的一级陶瓷粉体依次进行二级球磨处理和二级预烧处理，得到二级陶瓷粉体；

(3)将所述步骤(2)得到的二级陶瓷粉体依次进行造粒、压制成型和烧结，得到透明荧光铁电陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的一级球磨处理和所述步骤(2)中的二级球磨处理独立地为湿法球磨。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述一级球磨处理和二级球磨处理的转速独立地为350～450r/min；所述一级球磨处理的时间为22～26h；所述二级球磨处理的时间为10～14h。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的一级预烧处理和所述步骤(2)中的二级预烧处理的温度独立地为840～860℃；所述步骤(1)中的一级预烧处理和所述步骤(2)中的二级预烧处理的时间独立地为1～2h。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)造粒过程中添加聚乙烯醇水溶液；所述聚乙烯醇水溶液的质量浓度为2～5％；所述聚乙烯醇水溶液中聚乙烯醇与二级陶瓷粉体的质量比为(0.006～0.012)：1。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中压制成型的压力为5～

10MPa，压制成型的保压时间为1～2min。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中烧结包括第一烧结和第二烧结；所述第一烧结的温度为550～650℃，第一烧结的保温时间为120～180min；所述第二烧结的温度为1180～1200℃，第二烧结的保温时间为180～240min。

10.权利要求1或2所述透明荧光铁电陶瓷材料或权利要求3～9任意一项所述制备方法制备得到的透明荧光铁电陶瓷材料作为光电器件在记忆元件、光衰减器、光隔离器和光开关中的应用。