1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括依次叠加设置的半导体层、氧化物层、氮化物层、硬掩模层、牺牲层和第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光显影，以在所述第一光刻胶层上形成在多个第一沟槽；

其中，在多个第一沟槽排列的第一方向上，所述多个第一沟槽的宽度相同，或者，至少一个所述第一沟槽的宽度与其余所述第一沟槽的宽度不同；以及，在所述第一方向上，所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；

以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀形成多个第二沟槽，并去除所述第一光刻胶层；

在所有所述第二沟槽中填充光刻胶形成与所述第二沟槽一一对应的多个第二光刻胶层；

对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同；

去除所述牺牲层；

以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述半导体层、氧化物层、氮化物层和硬掩模层进行刻蚀，去除所述硬掩模层和所述第二光刻胶层后形成多个鳍部；

形成鳍式场效应晶体管的栅极、源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底基板还包括位于所述牺牲层与所述第一光刻胶层之间的抗反射涂层，其中，所述抗反射涂层随所述牺牲层进行刻蚀后，随所述第一光刻胶层进行去除。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体层为硅层。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述氮化物层为氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层为负性光刻胶层。

9.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管采用权利要求1‑8任意一项所述的制作方法制作而成。