1.一种新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上形成一半导体凸出结构；

(2)制作并通过第一掩膜版刻蚀所述半导体凸出结构，形成上表面呈凸齿结构的鳍部，所述凸齿结构凸起部分为齿部；

(3)在未被第一掩膜版覆盖的鳍部表面沉积与鳍部晶格常数不同迁移率增强区；

(4)制作第二掩膜版，第二掩膜版覆盖鳍部中间，同时以第一掩膜版以及第二掩膜版为掩膜，向所述鳍部两端掺杂杂质，形成源区以及漏区，并去除第二掩膜版以及第一掩膜版；

(5)制作覆盖源区以及漏区的第三掩膜版，所述第三掩膜版两端开口边缘投影在未被掺杂的中间的鳍部上，通过第三掩膜版形成嵌入所述鳍部的凸齿结构内的栅极结构，并去除第三掩膜版。

2.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述基底为硅或者绝缘体上硅。

3.根据权利要求2所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述迁移率增强区为硅锗或碳化硅。

4.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(3)步采用外延生长法沉积迁移率增强区。

5.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步掺杂杂质采用离子注入掺杂。

6.根据权利要求5所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步离子注入掺杂时，注入方向不与第一掩膜版垂直。

7.根据权利要求6所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(4)步离子注入掺杂时，先偏向源区或漏区方向成一定角度注入，再偏向相反的方向成一定角度注入。

8.根据权利要求1所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(5)步所述第三掩膜版两端开口边缘在未被掺杂的中间的鳍部上的齿部上。

9.根据权利要求8所述的新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于：第(5)步所述第三掩膜版两端开口边缘在未被掺杂的中间的鳍部上的齿部中央上。

10.一种新型鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部两端形成源区和漏区；横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构，其特征在于：所述鳍部上表面呈凸齿结构，所述凸齿结构凸起部分为齿部，所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区，所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂，所述栅极结构嵌入所述鳍部的凸齿结构内。