1.一种用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述电性解析版图包括第一版图(1)和第二版图(2)，所述第一版图(1)为指状结构鳍式场效应晶体管，所述指状结构鳍式场效应晶体管的栅极(6)、源极(5)、漏极(7)和基底(3)均为并联，第二版图(2)为用于解析所述指状结构鳍式场效应晶体管的版图，所述第二版图(2)的至少部分的栅极(6)、源极(5)或漏极(7)具有个别的金属线(8)连接，所述第二版图(2)的基底(3)共用，所述第二版图(2)的至少部分的晶体管可被单独量测。

2.根据权利要求1所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述第二版图(2)的所有栅极(6)、源极(5)和漏极(7)均具有个别的金属线(8)连接，所述第二版图(2)的所有晶体管可被单独量测。

3.根据权利要求2所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述第二版图(2)的个别晶体管单独量测可获得电流值总和、且与原先要解析的所述指状结构鳍式场效应晶体管的电流值相等，所述第二版图(2)的个别晶体管与原先要解析的所述第一版图(1)的指状结构鳍式场效应晶体管的接线形式相同，两者的电学行为相同。

4.根据权利要求2所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述第二版图(2)的栅极(6)、源极(5)、漏极(7)或基底(3)通过外部仪器开关矩阵接线成与原先要解析的所述第一版图(1)的指状结构鳍式场效应晶体管的接线形式相同，两者的电学行为相同。

5.根据权利要求1所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述第二版图(2)包括N个晶体管，N为偶数，其中，N/2个晶体管的栅极(6)、源极(5)或漏极(7)均有个别的金属线(8)连接，所述N/2个晶体管可被单独量测。

6.根据权利要求5所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述N/2个晶体管的电流值的两倍与原先要解析的所述第一版图(1)的指状结构鳍式场效应晶体管的电流值相等。

7.根据权利要求5所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述N/2个晶体管的栅极(6)、源极(5)、漏极(7)或基底(3)通过外部仪器开关矩阵并联，所述N/2个晶体管的电流值的两倍与原先要解析的所述指状结构鳍式场效应晶体管的电流值相等。

8.根据权利要求1所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，所述第二版图(2)包括N个晶体管，N为奇数，其中，位于正中间一侧的(N-1)/2个晶体管和正中间的那个晶体管的栅极(6)、源极(5)或漏极(7)均有个别的金属线(8)连接，总共(N+

1)/2个晶体管可被单独量测。

9.根据权利要求8所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，位于正中间一侧的(N-1)/2个晶体管的电流值的两倍加上正中间的那个晶体管的电流值与原先要解析的所述第一版图(1)的指状结构鳍式场效应晶体管的电流值相等。

10.根据权利要求8所述的用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，其特征在于，位于正中间一侧的(N-1)/2个晶体管的栅极(6)、源极(5)、漏极(7)或基底(3)通过外部仪器开关矩阵并联，位于正中间一侧的(N-1)/2个晶体管的电流值的两倍加上正中间的那个晶体管的电流值与原先要解析的所述第一版图(1)的指状结构鳍式场效应晶体管的电流值相等。