1.一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器，其特征在于，所述阴极光电化学免疫传感器是以P型半导体材料作为光电化学基底。将铂纳米催化剂作为信号放大元件，标记于信号抗体，通过捕获抗体探针、目标抗原和信号抗体之间的夹心免疫反应，实现阴极光电流检测信号的显著放大和对目标抗原的灵敏检测。

2.一种如权利要求1所述的利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：

(1)制备Au/CuBi2O4光阴极：以P型半导体材料CuBi2O4作为阴极光电化学基底，在所述基底表面修饰增敏剂金纳米颗粒制备Au/CuBi2O4光阴极；

(2)制备免疫传感电极：用CA19-9捕获抗体Ab1修饰步骤(1)制备的Au/CuBi2O4光阴极，并用牛血清白蛋白封闭电极活性位点，室温孵育，得到免疫传感电极；

(3)制备Ab2-Pt/GR：将Pt前驱体试剂与氧化石墨烯共混，采用一锅还原反应制备石墨烯GR负载Pt纳米催化剂的Pt/GR复合物，随后将CA19-9信号抗体Ab2修饰于Pt/GR上，即得到Ab2-Pt/GR；

(4)将所述免疫传感电极在室温下孵育目标Ag，以使Ab1与Ag发生特异性免疫反应；随后所述免疫传感电极继续在室温下孵育所述Ab2-Pt/GR，使得Ag与Ab2发生特异性免疫反应，以在所述免疫传感电极上引入Pt/GR复合物，即得所述阴极光电化学免疫传感器。

3.根据权利要求2所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，采用恒电位法在氧化铟锡电极上沉积CuBi2O4纳米膜，随后煅烧、冷却，得到CuBi2O4纳米膜修饰电极；配置HAuCl4溶液并加热煮沸，随后加入柠檬酸钠溶液加热后，得到Au纳米颗粒溶液；取所述Au纳米颗粒溶液滴加分散至CuBi2O4修饰电极上，最终得到Au/CuBi2O4光阴极。

4.根据权利要求3所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，制备所述CuBi2O4纳米膜的沉积时间为40～80s；及制备所述Au/CuBi2O4光阴极时，所述Au纳米颗粒溶液的滴加体积为5～15μL。

5.根据权利要求2所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在所述Au/CuBi2O4光阴极上滴加Ab1，低温孵育，随后用磷酸盐缓冲液冲洗干净后，滴加牛血清白蛋白溶液，室温孵育以封闭电极活性位点，最终得到免疫传感电极。

6.根据权利要求5所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述Ab1低温孵育的浓度为100～200μg/mL。

7.根据权利要求2所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在去离子水中依次加入氧化石墨烯和聚乙烯吡咯烷酮，超声处理后，加入H2PtCl6溶液搅拌均匀，随后滴加NaBH4溶液搅拌后，离心洗涤、干燥，得到Pt/GR复合物；配置含有所述Pt/GR复合物的分散液，随后滴加入Ab2，低温孵育，即得到Ab2-Pt/GR。

8.根据权利要求2所述的一种利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在所述免疫传感电极上滴加目标Ag室温孵育后，在所述免疫传感电极上继续滴加所述Ab2-Pt/GR室温孵育，以最终在免疫传感电极上引入Pt/GR复合物。

9.一种如权利要求1所述的利用铂纳米催化剂放大检测信号的阴极光电化学免疫传感器或如权利要求2～8任一所述方法制备的阴极光电化学免疫传感器在体外诊断产品中的应用。