1.一种与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，包括：金属层；

设置在所述的金属层上的介质层，所述的介质层的厚度范围为100‑130纳米；

设置在所述的介质层上的周期性金属纳米结构阵列层，所述的周期性金属纳米结构阵列层由中间刻蚀有空气孔的金属圆柱体呈周期排列而成，周期排列方式为四方周期阵列，所述空气孔的形状为三棱柱体，空气孔的底面为等边三角形；所述空气孔底面的几何中心偏离所述金属圆柱体的圆形底面中心20纳米，偏离方向为四方周期阵列中同一列金属圆柱体的圆形底面中心连成的直线所在的方向；所述的周期性金属纳米结构阵列层中的金属圆柱体的半径范围为180‑240纳米，金属圆柱体的高度范围为25‑35纳米。

2.根据权利要求1所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，其特征在于：所述的金属为金、铝、银或铜。

3.根据权利要求2所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，其特征在于：所述的介质为二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氟化镁。

4.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，其特征在于：所述的金属层的厚度不小于100纳米。

5.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，其特征在于：所述的空气孔的高度与所述的金属圆柱体的高度相等。

6.根据权利要求3所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器，其特征在于：所述的周期性金属纳米结构阵列层的阵列周期为500‑700纳米。

7.根据权利要求1 6任一权利要求所述的与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器~

的应用，其特征在于，所述与偏振无关的超窄多频带可调谐完美吸收器用于制作光学传感器。