1.一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配料：将原料LiF和水按预定的质量百分比配料；

(2)混料：将原料LiF和水研磨；

(3)热压：将研磨后的粉料热压成型，得到陶瓷生坯；

(4)热处理：将陶瓷生坯置于高温炉中进行热处理，热处理后随高温炉冷却至室温，制得微波介质陶瓷LiF。

2.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)之后还包括以下步骤：(5)后期加工处理：对微波介质陶瓷LiF进行抛光处理。

3.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的预定的质量百分比为90：10。

4.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中研磨的时长为10～20分钟。

5.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)具体包括：将研磨后的粉料置于圆柱体模具中，通过热压机对模具施加200～800MPa的压力，同时以5℃/min的速度使模具升温至150～180℃并保温2小时；热压结束后，褪去压力及温度，使模具在空气中自然冷却至室温。

6.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中热处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至目标温度下热处理6小时。

7.根据权利要求6所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述目标温度为650～800℃。

8.根据权利要求7所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述目标温度为650℃、700℃、750℃或800℃。

9.根据权利要求1所述的一种微波介质陶瓷LiF的制备方法，其特征在于，所述原料LiF的纯度为99.99％。

10.如权利要求1-9任一项所述制备方法制得的微波介质陶瓷LiF，其特征在于，在微波频段下，介电常数εr为6.4～8.3，品质因数Qf值为44011～122044GHz。