1.基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，按如下步骤：

(1)将CaCO3和TiO2按CaTiO3化学计量比进行配料，球磨烘干，过筛得粉料；

(2)将步骤(1)制得的粉料在高温下煅烧后，二次球磨并过筛得粉料；

(3)将步骤(2)制得的粉料压制成生坯，在高温下烧结制得致密的CaTiO3陶瓷块体；

(4)在LiF粉末中添加去离子水，研磨混合均匀；

(5)将润湿的部分LiF粉末置于模具中，预压后加入步骤(3)的CaTiO3陶瓷块体，后将剩余的LiF粉末加入所述模具中，预压后使LiF包覆CaTiO3陶瓷块体得到LiF‑CaTiO3陶瓷生坯；

(6)将所述模具进行热压，使LiF‑CaTiO3陶瓷生坯在300‑600MPa压力与100‑200℃条件下冷烧结处理；冷烧结结束后获得初步致密化的陶瓷生坯；

(7)将步骤(6)所得的陶瓷生坯进行热处理，得到具有核‑壳结构的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷。

2.根据权利要求1所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(1)前还包括：原料CaCO3、TiO2、LiF分别连续球磨10h以上以获得均匀分散且细小的原料粉末。

3.根据权利要求1所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(1)与步骤(4)中，CaCO3，TiO2，LiF原料的纯度均为99.99％。

4.根据权利要求1所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(2)、(3)、(6)、(7)中，升温速度为5℃/min。

5.根据权利要求1所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，步骤(6)所制备的LiF‑CaTiO3陶瓷生坯呈圆柱体状，直径为12mm，高度为5mm。

6.如权利要求1‑5任一项所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，LiF与CaTiO3形成致密的核‑壳结构陶瓷，两相之间不发生化学反应。

7.如权利要求1‑5任一项所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，所述微波介质陶瓷的相对介电常数εr＝8.2～13.4，品质因数Qf＝82000～110800GHz，谐振频率温度系数–135～2.5ppm/℃。

8.如权利要求1‑5任一项所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，步骤(8)，将步骤(7)得到的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷进行表面磨削与抛光，后利用网络分析仪与配套测试夹具评价样品的微波介电性能。

9.如权利要求1‑4任一项所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，步骤(1)、(2)中，过100‑150目筛。

10.如权利要求1‑4任一项所述的基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法，其特征在于，步骤(2)，高温1000‑1300℃。