1.一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：用作超低介微波介质陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2陶瓷具有超低的相对介电常数εr = 4.6‑4.7，其大小与高分子基FR4材料接近；同时MgF2陶瓷具有超低的介电损耗，其品质因数Qf=85000‑110000GHz。

3.根据权利要求1所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：作为超低介微波介质陶瓷用于介质谐振器、或/和滤波器、或/和天线中。

4.根据权利要求1所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2陶瓷材料通过以下步骤制备：

压片：将MgF2粉末与粘结剂混合后压制为生坯；

烧结：将所述生坯烧结为陶瓷材料。

5.根据权利要求4所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：还包括后加工步骤：将烧结得到的陶瓷材料的两面进行研磨抛光处理。

6.根据权利要求4所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述粘结剂包括2‑

8wt%的聚乙烯醇溶液。

7.根据权利要求4所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：烧结时，烧结温度不超过1200℃。

8.根据权利要求4所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：烧结具体为：首先以5‑

15℃/min的速度将温度升至550‑650℃保温0.5‑1.5h；然后以3‑8℃/min的速度升温至

1100‑1200℃烧结2‑4h；烧结结束后以0.5‑1.5℃/min的速度降温至750‑850℃；最后自然冷却至室温。

9.根据权利要求4所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2粉末通过以下步骤制备：将MgF2原料与球磨珠、无水乙醇混合后湿法球磨12h以上，得到泥浆状原料；将所述泥浆状原料烘干至恒重后过180‑220目筛网，得到所述MgF2粉末。

10.根据权利要求9所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2原料的纯度不低于99.99%。