1.一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，其特征在于，包括开关管NMOS管M13、NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、自举电容C1和C2、负载电容CL，所述PMOS管M6和NMOS管M7并联连接构成CMOS传输门，所述PMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极相连接，PMOS管M6的漏极与NMOS管M7的源极相连接，所述CMOS传输门将输入电压反馈到开关管NMOS管M13的栅极，使得开关管NMOS管M13的栅源电压保持恒定，栅源电压指的是栅极和源极的电压差，使NMOS开关管M13在采样阶段成为一个定值电阻，所述晶体管M1-M12在栅压自举开关跟随阶段CLK为高电平，开关管NMOS管M13栅压为2VDD+Vin，Vout跟随Vin；所述晶体管M1-M12在栅压自举开关保持阶段CLK为低电平，开关管NMOS管M13栅压为GND，Vout保持不变。

2.根据权利要求1所述的一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，其特征在于，所述PMOS管M1的源极与外部电源VDD相连，PMOS管M1的漏极分别与NMOS管M2的漏极以及电容C1的正端相连，PMOS管M1的栅极分别与M2的栅极以及外部控制信号CLK相连，NMOS管M2的源极与外部地线GND相连，PMOS管M3的源极与外部电源VDD相连，PMOS管M3的漏极分别与电容C1的负端以及PMOS管M4的源极相连，PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M6的栅极、NMOS管M8的栅极PMOS管M4的漏极、NMOS管M5的漏极、PMOS管M9的源极、PMOS管M10的栅极以及NMOS管M12的栅极相连，PMOS管M4的栅极分别与NMOS管M5的栅极以及外部控制信号CLK相连，NMOS管M5的源极与外部地线GND相连，PMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极、NMOS管M13的源极以及外部输入信号Vin相连，PMOS管M6的漏极与NMOS管M7的源极、NMOS管M8的漏极以及电容C2的正端相连，NMOS管M7的栅极与外部控制信号CLK相连，NMOS管M8的源极与外部地线GND相连，PMOS管M9的漏极与PMOS管M10的源极以及电容C2的负端相连，PMOS管M9的栅极与PMOS管M10的漏极以及NMOS管M13的栅极相连，NMOS管M11的源极与M12的漏极相连，NMOS管M11的栅极与外部电源VDD相连，NMOS管M12的源极与外部地线GND相连，NMOS管M13漏极与负载电容CL的正端以及输出端Vout相连，负载电容CL的负端与外部地线GND相连。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，其特征在于，当CLK为高电位即跟随状态时，NMOS管M2、NMOS管M5以及NMOS管M7导通，PMOS管M1与PMOS管M4截止，V2电压降为GND，PMOS管M3、PMOS管M6与PMOS管M10导通,NMOS管M8与NMOS管M12截止，V1电压拉至VDD，V3电压为Vin，PMOS管M10导通，NMOS管M9截止，G点电压等于V4等于Vin加上V4原来存储的电压，输出电压Vout等于输入电压Vin；当CLK为低电位即保持状态时，NMOS管M2、NMOS管M5以及NMOS管M7截止，PMOS管M1与PMOS管M4导通，V1电压升至2VDD，V2电压等于V1电压为2VDD，PMOS管M3、PMOS管M6与PMOS管M10截止，NMOS管M8与NMOS管M12导通，V3电压降为VDD，PMOS管M10截止，NMOS管M9导通，G点电压拉至GND，V4电压等于V2电压等于

2VDD，输出电压Vout保持不变，且可知跟随阶段G点电压为2VDD+Vin。

4.根据权利要求3所述的一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路，其特征在于，当CLK为高电位时，栅压自举开关输出Vout等于输入Vin；当CLK为低电位时，栅压自举开关输出Vout保持之前的电压不变。