1.一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：制备MgFe2O4薄膜

(1)将FeCI3溶于去离子水，磁力搅拌，加入NaNO3和Mg(NO3)2，继续搅拌，配制得到前驱体溶液；

(2)将FTO导电面向下置于不锈钢高压反应釜聚四氟乙烯内胆，倒入步骤一(1)制备的前驱体溶液，水热反应冷却至室温后取出FTO，用去离子水清洗并于室温下空气中干燥；

(3)将步骤一(2)制备的FTO置于箱式电阻炉进行热处理，冷却至室温后取出，制备得到MgFe2O4/MgO薄膜；

(4)将步骤一(3)制备的FTO浸于HNO3溶液刻蚀多余的MgO，用去离子水清洗并于室温下空气中干燥，制备得到纯MgFe2O4薄膜；

步骤二：制备MgFe2O4/Ag薄膜

(1)将AgNO3溶于去离子水，室温下玻璃棒搅拌，再加入Na3C6H5O7·2H2O，继续搅拌，配制得到白色生长溶液；

(2)将步骤一制备的FTO导电面向下置于烧杯，倒入步骤二(1)制备的生长溶液，用保鲜膜将烧杯封口，再将烧杯置于水浴锅，水浴加热生长一定时间后用去离子水清洗FTO并于室温下空气中干燥，制备得到MgFe2O4/Ag薄膜。

2.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：将0.5-1.5g FeCI3溶于30mL去离子水，磁力搅拌10min，加入0.2-0.4g NaNO3，0.2-0.7g Mg(NO3)2，继续搅拌10min，制备得到前驱体溶液。

3.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将FTO导电面向下置于不锈钢高压反应釜聚四氟乙烯内胆，倒入所述步骤一(1)制备的前驱体溶液，在100℃下水热反应5-7h，冷却至室温后取出FTO用去离子水清洗并于室温下空气中干燥。

4.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(3)的工艺参数为：将步骤一(2)制备的FTO置于箱式电阻炉进行热处理，550℃保温1-3h，冷却至室温后取出，制备得到MgFe2O4/MgO薄膜。

5.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(4)的工艺参数为：将步骤一(3)制备的FTO浸于2mol/L的HNO3溶液4-8h以刻蚀多余的MgO，用去离子水清洗并于室温下空气中干燥，制备得到纯MgFe2O4薄膜。

6.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(1)的工艺参数为：将0.1-0.3g AgNO3溶于100mL去离子水，室温下玻璃棒搅拌2min，再加入0.2-0.4g Na3C6H5O7·2H2O，继续搅拌2min，配制得到白色生长溶液。

7.如权利要求1所述的一种Ag纳米颗粒修饰的MgFe2O4纳米棒复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(2)的工艺参数为：将步骤一制备的FTO导电面向下置于烧杯，倒入步骤二(1)制备的生长溶液，用保鲜膜将烧杯封口，再将烧杯置于水浴锅，100℃水浴加热

1-3h，用去离子水清洗并于室温下空气中干燥，制备得到MgFe2O4/Ag薄膜。