1.一种晶圆封装结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面； 位于所述上表面的多个焊盘； 位于所述多个焊盘上的多个焊球； 围绕所述多个焊盘和焊球的阻焊层； 围绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘； 位于所述下表面的散热层；以及 连接所述金属导热层和所述散热层的多个导热通孔； 所述金属导热层的厚度与所述阻焊层的厚度相同；所述阻焊层的边缘具有阶梯形状，所述金属导热层内侧与该阶梯形状相匹配；所述金属导热层的材料选自Cu和Ni中的至少一种；所述阻焊层的上表面上具有一环形凹槽，所述凹槽深度小于阻焊层的厚度，且所述凹槽介于最外层的焊球与所述金属导热层之间；所述导热通孔填充导电材料，所述导电材料为Cu或Au。