1.一种晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，包括：（1）提供半导体衬底，具有相对的上表面和下表面，所述上表面具有多个焊盘；

（2）形成覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层露出所述多个焊盘，并且露出上表面的边缘位置；

（3）在所述多个焊盘上形成多个焊球；

（4）在所述上表面的未被阻焊层覆盖的边缘位置上形成围绕所述阻焊层的金属导热层；

（5）形成连接所述金属导热层并贯通所述上表面和下表面的多个导热通孔；

（6）形成覆盖所述下表面的散热层。

2.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属导热层的厚度与所述阻焊层的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述阻焊层具体包括：先覆盖整个上表面，然后进行光刻，以露出所述多个焊盘和所述边缘位置。

4.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述多个导热通孔具体包括：先刻蚀出贯通上表面和下表面的通孔，然后进行填充导热物质，形成导热通孔。

5.根据权利要求4所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，形成所述多个导热通孔还包括：研磨所述下表面，使得导热通孔与所述下表面齐平。

6.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，还包括在所述阻焊层的上表面形成一环形凹槽，所述凹槽介于最外层的焊球与所述金属导热层之间。

7.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，所述导热通孔填充导电材料，所述导电材料为Cu或Au。

8.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，所述导热通孔填充非导电材料，所述非导电材料为Al2O3。

9.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，所述散热层的材料为金属。

10.根据权利要求1所述的晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，所述散热层为散热鳍片结构。